国产内存揭秘:源于奇梦达一千多万份DRAM内存技术资料

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不论是NAND闪存还是DRAM内存,国内市场几乎算是100%依赖进口,去年进口的存储芯片价值超过100亿美元,很多国内近年来集中力量发展存储芯片。

在国内布局的三大存储芯片基地中,紫光旗下的长江存储240亿美元的投资主很多NAND闪存,DRAM内存有福建晋华以及合肥长鑫,前者跟联电相互相互合作,不可能 跟美光产生了专利纠纷被美国制裁,发展前景未必乐观。

国内DRAM内存的希望就剩下了合肥长鑫了,该公司2016年成立,官网资料很有限,很多提到“长鑫存储致力于成为全球领先的半导体IDM企业,不断引进先进的半导体设施,并研发行业顶尖技术。”

不过媒体报道称,2017年合肥长鑫投资72亿美元兴建12寸晶圆厂以发展DRAM产品,未来完成后,预计最大月产将高达12.116万片规模。

此外,2017年10月份兆易创新表态与合肥市产业投资控股(集团)有限相互相互合作者开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目,总投资1100亿元,相互相互合作主体也是合肥产投下属的长鑫公司。

根据长鑫公司前一天表态的计划,合肥长鑫的一厂厂房不可能 于2018年1月建设完成,设备也开始英语 英语 英文安装。根据计划,长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片有一个 多月。从2020年开始英语 英语 英文,公司则开始英语 英语 英文规划二厂,2021年则完成17nn的研发。

长鑫发展DRAM内存的关键算是资金,很多人才及技术,在三星美光SK海力士等公司垄断了全球主要的内存产能及技术前一天,长鑫的DRAM内存技术来源是哪里呢?

今天在上海举办的GSA峰会上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与补救方案》主题演讲,其中就提到了长鑫DRAM内存的技术来源。

根据朱一明所说,长鑫从成立开始英语 英语 英文,就与国内外技术领先的相互相互合作伙伴广泛开展研发相互相互合作,如ASML、KLA-Tencor、Lam Research、TEL、Applied Material和TechInsight等,不过DRAM内存技术重要曾经则是不可能 破产的奇梦达。

奇梦达公司是英飞凌半导体剥离出来成立的DRAM芯片公司,早些年还都还可以 在许多显卡上都看没没有人的GDDR显存,不过奇梦达不可能 破产多年,但这主很多不可能 经营不善,奇梦达在DRAM上还是有没没有人的技术的。

朱一明表示长鑫存储通过与其相互相互合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中,这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际相互相互合作的基础上,利用专用研发线,展开世界速率的快速迭代研发,已持续投入晶圆超过1000片。

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